Conduction band offset at the (AIxGa1-x)yIn1-y/Ga0.52In0.48P interface : a photoluminescence study

Document type :

Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes

Title :

Author(s) :

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, F. [Auteur]

Conference title :

Proceedings of the 11th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE XI

City :

Beijing

Country :

Chine

Start date of the conference :

2000

Publication date :

2000

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

Source :

Conduction band offset at the (AIxGa1-x) ... BibTeX CSV Excel RIS