The indium content in metamorphic InAlAs/InGaAs ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
The indium content in metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs substrate : a new structure parameter
Author(s) :
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Happy, Henri [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
lepilliet, sl [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]

Happy, Henri [Auteur]

Hoel, Virginie [Auteur]

lepilliet, sl [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]

Cappy, Alain [Auteur]

Journal title :
Solid-State Electronics
Pages :
1021-1027
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2000
ISSN :
0038-1101
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :