The indium content in metamorphic InAlAs/InGaAs ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
The indium content in metamorphic InAlAs/InGaAs HEMTs on GaAs substrate : a new structure parameter
Auteur(s) :
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Happy, Henri [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
lepilliet, sl [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Happy, Henri [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
lepilliet, sl [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Titre de la revue :
Solid-State Electronics
Pagination :
1021-1027
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2000
ISSN :
0038-1101
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :