RF and noise properties of SOI MOSFETs, ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
RF and noise properties of SOI MOSFETs, including the influence of a direct tunneling gate current
Auteur(s) :
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pailloncy, G. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Iniguez, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pailloncy, G. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Iniguez, B. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2004
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the Fifth International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems, ICCDCS 2004
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2004
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :