Title :

Parameter extraction and geometry effects on the electronic properties of submicron MOS transistors

Author(s) :

Bakhtiar, H. [Auteur]
Soltani, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoffmann, A. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Charles, J.P. [Auteur]

Journal title :

Jurnal Fizik UTM

Pages :

1-22

Publication date :

2001

HAL domain(s) :

Physique [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL