Current instabilities in GaN-based devices
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Current instabilities in GaN-based devices
Auteur(s) :
Daumiller, I. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Vescan, A. [Auteur]
Dietriech, R. [Auteur]
Wieszt, A. [Auteur]
Leier, H. [Auteur]
Vetury, R. [Auteur]
Mishra, U.K. [Auteur]
Schmorkova, I.P. [Auteur]
Keller, S. [Auteur]
Nguyen, N.X. [Auteur]
Nguyen, Cong Tu [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Vescan, A. [Auteur]
Dietriech, R. [Auteur]
Wieszt, A. [Auteur]
Leier, H. [Auteur]
Vetury, R. [Auteur]
Mishra, U.K. [Auteur]
Schmorkova, I.P. [Auteur]
Keller, S. [Auteur]
Nguyen, N.X. [Auteur]
Nguyen, Cong Tu [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Titre de la revue :
IEEE Electron Device Letters
Pagination :
62-64
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2001
ISSN :
0741-3106
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :