H-Si doping profile in GaAs by scanning ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
H-Si doping profile in GaAs by scanning tunneling microscopy
Author(s) :
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Silvestre, S. [Auteur]
Nys, J.P. [Auteur]
Melin, Thierry [Auteur]
Bernard, Dorothee [Auteur]
Stievenard, D. [Auteur]
Constant, E. [Auteur]
Chevallier, Jacques [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Silvestre, S. [Auteur]
Nys, J.P. [Auteur]
Melin, Thierry [Auteur]

Bernard, Dorothee [Auteur]

Stievenard, D. [Auteur]
Constant, E. [Auteur]
Chevallier, Jacques [Auteur]
Journal title :
Applied Physics Letters
Pages :
3278-3280
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2001
ISSN :
0003-6951
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :