Design and realization of sub-100nm gate ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes: Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/52819
Title :
Design and realization of sub-100nm gate length HEMTs
Author(s) :
Parenty, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, S. [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Cappy, A. [Auteur]
Start date of the conference :
2001
Book title :
Proceedings of the 13th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2001
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2001
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T21:51:43Z