Monte Carlo study of the breakdown of an ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Monte Carlo study of the breakdown of an AlInAs/GaInAs HEMT on InP with an InP etch stop layer
Auteur(s) :
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
dessenne, François [Auteur]
Fauquembergue, R. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
dessenne, François [Auteur]
Fauquembergue, R. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2002
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 10th IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, EDMO 2002
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2002
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :