Réalisation de transistors à effet de champ ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/52935
Title :
Réalisation de transistors à effet de champ à base de GaN pour l'amplification de puissance en gamme d'ondes millimétriques et à haute température
Author(s) :
Guhel, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publication date :
2002
Language :
Français
Audience :
Non spécifiée
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T21:58:47Z