Ferroelectric (116) SrBi2Nb2O9 thin films ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Ferroelectric (116) SrBi2Nb2O9 thin films epitaxially grown by pulsed laser deposition on epitaxial (110) Pt/(110) SrTiO3 electrode
Auteur(s) :
Duclere, Jean-René [Auteur]
Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface [SPCTS]
Laboratoire de Chimie du solide et inorganique moléculaire [LCSIM]
Guilloux-Viry, Maryline [Auteur]
Laboratoire de Chimie du solide et inorganique moléculaire [LCSIM]
Perrin, A. [Auteur]
Laboratoire de Chimie du solide et inorganique moléculaire [LCSIM]
Cattan, Eric [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Soyer, Caroline [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Remiens, Denis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface [SPCTS]
Laboratoire de Chimie du solide et inorganique moléculaire [LCSIM]
Guilloux-Viry, Maryline [Auteur]
Laboratoire de Chimie du solide et inorganique moléculaire [LCSIM]
Perrin, A. [Auteur]
Laboratoire de Chimie du solide et inorganique moléculaire [LCSIM]
Cattan, Eric [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Soyer, Caroline [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Remiens, Denis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Applied Physics Letters
Pagination :
2067-2069
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2002
ISSN :
0003-6951
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Résumé en anglais : [en]
Epitaxial SrBi2Nb2O9 thin films have been grown by pulsed-laser deposition on (110)Pt bottom electrode epitaxially grown on (110) SrTiO3 by dc sputtering. X-ray φ-scans and electron channeling patterns reveal the epitaxial ...
Lire la suite >Epitaxial SrBi2Nb2O9 thin films have been grown by pulsed-laser deposition on (110)Pt bottom electrode epitaxially grown on (110) SrTiO3 by dc sputtering. X-ray φ-scans and electron channeling patterns reveal the epitaxial growth of the (116) SrBi2Nb2O9/(110)Pt bilayers. The hysteresis loop, dielectric response, and capacitance–voltage characteristics of this bilayer are presented. The remnant polarization was measured to be close to 5 μC/cm2, and the coercive field was calculated to be ∼120 kV/cm. The zero field permittivity was about 150 and the dielectric loss was ∼2%.Lire moins >
Lire la suite >Epitaxial SrBi2Nb2O9 thin films have been grown by pulsed-laser deposition on (110)Pt bottom electrode epitaxially grown on (110) SrTiO3 by dc sputtering. X-ray φ-scans and electron channeling patterns reveal the epitaxial growth of the (116) SrBi2Nb2O9/(110)Pt bilayers. The hysteresis loop, dielectric response, and capacitance–voltage characteristics of this bilayer are presented. The remnant polarization was measured to be close to 5 μC/cm2, and the coercive field was calculated to be ∼120 kV/cm. The zero field permittivity was about 150 and the dielectric loss was ∼2%.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :