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Comparison of the Benefits, From SiO2 to ...
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Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/SPI.2007.4512199
Title :
Comparison of the Benefits, From SiO2 to Ultralow-K Dielectric and Air Spacing Introduction, in Term of Interconnects Performances, for the Future High Speed Ic's in a Multicoupled Lines System
Author(s) :
Ponchel, Freddy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Legier, Jean-François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Paleczny, Erick [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Seguinot, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deschacht, Denis [Auteur]
Conception et Test de Systèmes MICroélectroniques [SysMIC]
Conference title :
11th IEEE Workshop on Signal Propagation on Interconnects, SPI 2007
City :
Genova
Country :
Italie
Start date of the conference :
2007-05-13
Publisher :
IEEE
Publication date :
2007
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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