Ineslastic electron tunnelling spectroscopy ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Ineslastic electron tunnelling spectroscopy : capabilities and limitations in metal-oxide-semiconductor devices
Author(s) :
Salace, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Petit, C. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Petit, C. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Journal title :
Journal of Applied Physics
Pages :
5896-5901
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2002
ISSN :
0021-8979
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :
Files
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