Electron lifetime of heavily Be-doped ...

Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
Electron lifetime of heavily Be-doped In0.53Ga0.47As as a function of growth temperature and doping density
Author(s) :
Vignaud, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Lefebvre, E. [Auteur]
Zaknoune, M. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Journal title :
Applied Physics Letters
Pages :
4151-4153
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2002
ISSN :
0003-6951
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL