Thermal characterisation of AlGaN/GaN HEMTs ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Thermal characterisation of AlGaN/GaN HEMTs using micro-Raman scatering spectroscopy and pulsed I-V measurements
Author(s) :
Aubry, Raphaël [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Jacquet, Jean-Claude [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Dua, Charu [Auteur]
Gerard, H. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dessertenne, B. [Auteur]
Thomson-CSF Laboratoire Central de Recherches [THOMSON-CSF LCR]
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Cordier, Yvon [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Jacquet, Jean-Claude [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Dua, Charu [Auteur]
Gerard, H. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dessertenne, B. [Auteur]
Thomson-CSF Laboratoire Central de Recherches [THOMSON-CSF LCR]
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Cordier, Yvon [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Conference title :
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials; ICSCRM2003
City :
Lyon
Country :
France
Start date of the conference :
2003-10-05
Book title :
Procedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
Publisher :
Trans Tech Publications Inc., Zurich, Switzerland
Publication date :
2003
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :