Low frequency drain noise comparison of ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMTs grown on silicon, SiC and sapphire substrates
Auteur(s) :
Curutchet, A. [Auteur]
Malbert, N. [Auteur]
Touboul, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Minko, A. [Auteur]
Uren, M. [Auteur]
Malbert, N. [Auteur]
Touboul, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Minko, A. [Auteur]
Uren, M. [Auteur]
Titre de la revue :
Microelectronics Reliability
Pagination :
1713-1718
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2003
ISSN :
0026-2714
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :