Etudes expérimentales de transistors HFET ...
Document type :
Partie d'ouvrage
Title :
Etudes expérimentales de transistors HFET de la filière nitrure de gallium pour des applications de puissance hyperfréquences
Author(s) :
Vellas, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publication date :
2003
Language :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :