Quantum calculation of leakage current in ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Quantum calculation of leakage current in stacked gate dielectrics for nano-MOS structures
Auteur(s) :
Lheurette, Eric [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Le Roy, M. [Auteur]
Vanbesien, Olivier [Auteur] refId
Lippens, D. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Proceedings of the 14th Workshop on Modelling and Simulation of Electron Devices
Ville :
Barcelona
Pays :
Espagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2003
Date de publication :
2003
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL