High indium content pseudomorphic InGaAs ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
High indium content pseudomorphic InGaAs layers for high mobility heterostructures on InP(001)
Auteur(s) :
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pinsard, B. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pinsard, B. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Proceedings of the 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE XIII
Ville :
Edinburgh, Scotland
Pays :
Royaume-Uni
Date de début de la manifestation scientifique :
2004
Date de publication :
2004
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :