As–P interface-sensitive GaInP/GaAs ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
As–P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system
Auteur(s) :
Dhellemmes, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Godey, Sylvie [Auteur]
Wilk, A. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Godey, Sylvie [Auteur]
Wilk, A. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
Proceedings of the 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE XIII
Ville :
Edinburgh, Scotland
Pays :
Royaume-Uni
Date de début de la manifestation scientifique :
2004
Date de publication :
2004
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :