AlGaN/GaN HEMTs on Si with power density ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
AlGaN/GaN HEMTs on Si with power density performance of 1.9 W/mm at 10 GHz
Auteur(s) :
Minko, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Soltani, Ali [Auteur]
Delos, E. [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Lahreche, H. [Auteur]
Wedzikowski, L. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]
Bove, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Soltani, Ali [Auteur]
Delos, E. [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Lahreche, H. [Auteur]
Wedzikowski, L. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]
Bove, P. [Auteur]
Titre de la revue :
IEEE Electron Device Letters
Pagination :
453-455
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2004
ISSN :
0741-3106
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :