Hysteretic behavior of the charge injection ...

Type de document :
Article dans une revue scientifique
Titre :
Hysteretic behavior of the charge injection in single silicon nanoparticles
Auteur(s) :
Diesinger, H. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melin, Thierry [Auteur]
Deresmes, D. [Auteur]
Stievenard, D. [Auteur]
Baron, T. [Auteur]
Titre de la revue :
Applied Physics Letters
Pagination :
3546-3548
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2004
ISSN :
0003-6951
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL