Variation d'indice et absorption obtenus ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Variation d'indice et absorption obtenus par effet plasma dans les hétérostructures InGaAsP/InP : mesure à 1,3 et 1,55 µm
Auteur(s) :
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
10èmes Journées Nationales Microélectronique Optoélectronique, JNMO 2004
Ville :
La Grande Motte
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2004-06-08
Date de publication :
2004
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Français
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :