On the modelling of transient diffusion ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
On the modelling of transient diffusion and activation of boron during post-implantation annealing
Auteur(s) :
Pichler, P. [Auteur]
Ortiz, C.J. [Auteur]
Colombeau, B. [Auteur]
Cowern, N.E.B. [Auteur]
Lampin, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Claverie, Alain [Auteur]
Cristiano, Fuccio [Auteur]
Lerch, W. [Auteur]
Paul, S. [Auteur]
Ortiz, C.J. [Auteur]
Colombeau, B. [Auteur]
Cowern, N.E.B. [Auteur]
Lampin, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Claverie, Alain [Auteur]
Cristiano, Fuccio [Auteur]
Lerch, W. [Auteur]
Paul, S. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
International Electron Devices Meeting, IEDM 2004
Ville :
San Francisco, CA
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2004
Date de publication :
2004
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :