Fabrication and analysis of CMOS ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Fabrication and analysis of CMOS fully-compatible high conductance impact-ionization MOS (I-MOS) transistors
Author(s) :
Charbuillet, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Monfray, S. [Auteur]
Bouillon, P. [Auteur]
Skotnicki, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Monfray, S. [Auteur]
Bouillon, P. [Auteur]
Skotnicki, T. [Auteur]
Start date of the conference :
2006
Book title :
Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2006
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2006
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :