TEM study of PtSi contacts layers for low ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
TEM study of PtSi contacts layers for low Schottky barrier MOSFETs
Auteur(s) :
Laszcz, A. [Auteur]
Katcki, J. [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]
Czerwinski, A. [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Katcki, J. [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]
Czerwinski, A. [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Titre de la revue :
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
Pagination :
274-277
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2006
ISSN :
0168-583X
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :