Impact of large angle tilt implantation ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Impact of large angle tilt implantation on the threshold voltages of LDMOS transistor on SOI
Auteur(s) :
Xu, H. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, E. [Auteur]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Murray, F. [Auteur]
Bardy, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, E. [Auteur]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Murray, F. [Auteur]
Bardy, S. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2005
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 2005 European Materials Research Society Spring Meeting, E-MRS 2005, Materials Science and Device Issues for Future Si-based Technologies
Éditeur :
European Materials Research Society, Strasbourg, France
Date de publication :
2005
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :