Integration of PtSi-based Schottky-barrier ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Integration of PtSi-based Schottky-barrier p-MOSFETs with a midgap tungsten gate
Auteur(s) :
Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Titre de la revue :
IEEE Transactions on Electron Devices
Pagination :
2720-2726
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2005
ISSN :
0018-9383
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :