Transition from ballistic to ohmic transport ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Transition from ballistic to ohmic transport in T-branch junctions at room temperature in GaInAs/AlInAs heterostructures
Auteur(s) :
Galloo, Jean-Sebastien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pichonat, Emmanuelle [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mateos, Javier [Auteur]
Universidad de Salamanca
González, Tomás [Auteur]
Universidad de Salamanca
Boutry, Hervé [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Bayot, Vincent [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Bednarz, Lukasz [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Huynen, Isabelle [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pichonat, Emmanuelle [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mateos, Javier [Auteur]
Universidad de Salamanca
González, Tomás [Auteur]
Universidad de Salamanca
Boutry, Hervé [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Bayot, Vincent [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Bednarz, Lukasz [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Huynen, Isabelle [Auteur]
Université Catholique de Louvain = Catholic University of Louvain [UCL]
Titre de la manifestation scientifique :
16th IPRM. 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
Ville :
Kagoshima
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2004-05-31
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 16th IPRM-IEEE
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2004
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Temperature
Indium phosphide
Resists
Wet etching
Indium gallium arsenide
Bit rate
Frequency
Scattering
Electron mobility
Synthetic aperture sonar
Indium phosphide
Resists
Wet etching
Indium gallium arsenide
Bit rate
Frequency
Scattering
Electron mobility
Synthetic aperture sonar
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We have developed technolow based on GaInAs/AIInAs for building ballistic devices working at room temperature. We present processes for ballistic devices (T-Branch Junctions (TBJs), YBranch Junctions (YBJs)). Then we present ...
Lire la suite >We have developed technolow based on GaInAs/AIInAs for building ballistic devices working at room temperature. We present processes for ballistic devices (T-Branch Junctions (TBJs), YBranch Junctions (YBJs)). Then we present DC Characterization of TBJs to show the transition from ballistic to ohmic transport at room temperature and also experimental results for Y-Branch Junctions(YBJS).Lire moins >
Lire la suite >We have developed technolow based on GaInAs/AIInAs for building ballistic devices working at room temperature. We present processes for ballistic devices (T-Branch Junctions (TBJs), YBranch Junctions (YBJs)). Then we present DC Characterization of TBJs to show the transition from ballistic to ohmic transport at room temperature and also experimental results for Y-Branch Junctions(YBJS).Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :