Electric force microscopy of individually ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Electric force microscopy of individually charged semiconductor nanoparticles
Auteur(s) :
Diesinger, Heinrich [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melin, Thierry [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Barbet, Sophie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Melin, Thierry [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Barbet, Sophie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
physica status solidi (a)
Pagination :
1344-1347
Éditeur :
Wiley
Date de publication :
2006
ISSN :
0031-8965
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
Charge injection experiments by electrostatic force microscopy are performed on single semiconductor nanoparticles. Different methods of detecting the stored charge are used. Although the amount of charge stored in particles ...
Lire la suite >Charge injection experiments by electrostatic force microscopy are performed on single semiconductor nanoparticles. Different methods of detecting the stored charge are used. Although the amount of charge stored in particles of realistic shape can be determined quantitatively, we present here a qualitative comparison between Q (V ) hysteresis curves observed on silicon and GaN quantum dots, in dry nitrogen and in ultra high vacuum. For silicon dots in dry atmosphere, we find a hysteresis behavior entirely different from the one observed on GaN dots in ultra high vacuum. The contribution of interface states to hysteresis is discussedLire moins >
Lire la suite >Charge injection experiments by electrostatic force microscopy are performed on single semiconductor nanoparticles. Different methods of detecting the stored charge are used. Although the amount of charge stored in particles of realistic shape can be determined quantitatively, we present here a qualitative comparison between Q (V ) hysteresis curves observed on silicon and GaN quantum dots, in dry nitrogen and in ultra high vacuum. For silicon dots in dry atmosphere, we find a hysteresis behavior entirely different from the one observed on GaN dots in ultra high vacuum. The contribution of interface states to hysteresis is discussedLire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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