Title :

Free-carrier absorption and growth temperature of highly Be-doped InGaAs in molecular beam epitaxy

Author(s) :

Vignaud, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, M. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]

Journal title :

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

Pages :

107-111

Publisher :

Elsevier

Publication date :

2006

ISSN :

0022-0248

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL