Free-carrier absorption and growth temperature ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
Free-carrier absorption and growth temperature of highly Be-doped InGaAs in molecular beam epitaxy
Author(s) :
Vignaud, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, M. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, M. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Journal title :
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Pages :
107-111
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2006
ISSN :
0022-0248
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :