Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hours on-state and off-state hot-electron stress
Author(s) :
Sozza, A. [Auteur]
Dua, C. [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Rampazzo, F. [Auteur]
Tazzoli, A. [Auteur]
Danesin, F. [Auteur]
Meneghesso, G. [Auteur]
Zanoni, E. [Auteur]
Curutchet, A. [Auteur]
Malbert, N. [Auteur]
Labat, N. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Dua, C. [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Rampazzo, F. [Auteur]
Tazzoli, A. [Auteur]
Danesin, F. [Auteur]
Meneghesso, G. [Auteur]
Zanoni, E. [Auteur]
Curutchet, A. [Auteur]
Malbert, N. [Auteur]
Labat, N. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Start date of the conference :
2005
Book title :
Proceedings of the 2005 IEEE International Electron Devices Meeting
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2005
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :