Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Evidence of traps creation in GaN/AlGaN/GaN HEMTs after a 3000 hours on-state and off-state hot-electron stress
Auteur(s) :
Sozza, A. [Auteur]
Dua, C. [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Rampazzo, F. [Auteur]
Tazzoli, A. [Auteur]
Danesin, F. [Auteur]
Meneghesso, G. [Auteur]
Zanoni, E. [Auteur]
Curutchet, A. [Auteur]
Malbert, N. [Auteur]
Labat, N. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Dua, C. [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Rampazzo, F. [Auteur]
Tazzoli, A. [Auteur]
Danesin, F. [Auteur]
Meneghesso, G. [Auteur]
Zanoni, E. [Auteur]
Curutchet, A. [Auteur]
Malbert, N. [Auteur]
Labat, N. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2005
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 2005 IEEE International Electron Devices Meeting
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2005
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :