Etude de HEMT's AlInAs/GaInAs à désertion ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Etude de HEMT's AlInAs/GaInAs à désertion et enrichissement pour applications haute fréquence
Auteur(s) :
Roucher, V. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2005
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :