Réalisation et caractérisation de transistors ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Réalisation et caractérisation de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de longueur de grille sub-50 nanomètres et de transistors sans couche tampon
Auteur(s) :
Duszynski, I. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2005
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :