Comparison between carried-induced optical ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
Comparison between carried-induced optical index, loss variations and carrier lifetime in GalnAsP/InP heterostructures for 1.55 μm DOS application
Author(s) :
Zegaoui, Malek [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Decoster, Didier [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chazelas, Jean [Auteur]
THALES [France]

Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Decoster, Didier [Auteur]

Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Harari, Joseph [Auteur]

Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Magnin, Vincent [Auteur]

Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chazelas, Jean [Auteur]
THALES [France]
Journal title :
Electronics Letters
Pages :
613-614
Publisher :
IET
Publication date :
2005
ISSN :
0013-5194
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
Experimentally carrier-induced optical index, propagation excess loss and carrier lifetime variations against injected current in n +-InP/i- InGaAsP/i-InP/p +-InP heterostructures are investigated. The heterostructures ...
Show more >Experimentally carrier-induced optical index, propagation excess loss and carrier lifetime variations against injected current in n +-InP/i- InGaAsP/i-InP/p +-InP heterostructures are investigated. The heterostructures have quaternary bandgap composition of λ g = 1.18 and 1.30 urn, and they were specially designed for 1.55 μm wavelength digital optical switch (DOS) applications. The Quo based heterostructure shows the best potential for high-performance DOS.Show less >
Show more >Experimentally carrier-induced optical index, propagation excess loss and carrier lifetime variations against injected current in n +-InP/i- InGaAsP/i-InP/p +-InP heterostructures are investigated. The heterostructures have quaternary bandgap composition of λ g = 1.18 and 1.30 urn, and they were specially designed for 1.55 μm wavelength digital optical switch (DOS) applications. The Quo based heterostructure shows the best potential for high-performance DOS.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :