Reactive ion etching of a 20 nanometers ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Reactive ion etching of a 20 nanometers tungsten gate using a SF6/N2 chemistry and hydrogen silsesquioxane hard mask resist
Author(s) :
Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Journal title :
Journal of Vacuum Science and Technology
Pages :
2046-2050
Publisher :
American Vacuum Society (AVS)
Publication date :
2005
ISSN :
0022-5355
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :