Magnetic field effect on the terahertz ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Magnetic field effect on the terahertz emission from nanometer InGaAs/AlInAs high electron mobility transistors
Auteur(s) :
Dyakonova, N. [Auteur]
Lusakowski, J. [Auteur]
Knap, W. [Auteur]
Levinshtein, M. [Auteur]
Shur, M. S. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Lusakowski, J. [Auteur]
Knap, W. [Auteur]
Levinshtein, M. [Auteur]
Shur, M. S. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics
Pagination :
114313-1-5
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2005
ISSN :
0021-8979
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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