100-nm T-gate In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
100-nm T-gate In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As DG-HEMTs with two separate gate controls
Auteur(s) :
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Duszynski, I. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Duszynski, I. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Titre de la revue :
IEEE Electron Device Letters
Pagination :
601-603
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2005
ISSN :
0741-3106
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :