Single Barrier Varactors and Resonant ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Single Barrier Varactors and Resonant Tunneling Diodes for Millimeter Waves Applications
Auteur(s) :
Mounaix, Patrick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lheurette, Eric [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, Francis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salzenstein, Patrice [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lheurette, Eric [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, Francis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salzenstein, Patrice [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
Proceeding of the European Space Agency, ESTEC. workshop, Noordwijk, Netherlands, 5-7 December, 1995
Ville :
Noordwijk
Pays :
Pays-Bas
Date de début de la manifestation scientifique :
1995
Éditeur :
ESA
Date de publication :
1995
Mot(s)-clé(s) en anglais :
III-V heterostructures
tunneling devices
varactor diodes
millimeter wave operation
tunneling devices
varactor diodes
millimeter wave operation
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Autre
Résumé en anglais : [en]
InGaAs/InAlAs/AlAs Single Barrier Varacors (SBV's) and InGaAs/AlAs double barrier Resonant Tunneling Diodes (RTD's) were integrated in a planar configuration. The epilayers, designed for millimeter-wave applications, were ...
Lire la suite >InGaAs/InAlAs/AlAs Single Barrier Varacors (SBV's) and InGaAs/AlAs double barrier Resonant Tunneling Diodes (RTD's) were integrated in a planar configuration. The epilayers, designed for millimeter-wave applications, were grown by gas sources MBE and processed in a two step mesa technology. Both types of devices exhibit very good charcateristics with very low leakage current for SBV's up to 5V whili RTD's high peak current densities and peak-to-valley ratios in the range 175-135 kA/cm² and 6:1 to 9:1 were found at 300K. Impedance measurements show that submillimeter wave operation can be expected for both devices on the basis of extremely high current densities on one hand and of very low series resistances (contact resistivity of 6E-7 Ohm.cm²) on the other hand.Lire moins >
Lire la suite >InGaAs/InAlAs/AlAs Single Barrier Varacors (SBV's) and InGaAs/AlAs double barrier Resonant Tunneling Diodes (RTD's) were integrated in a planar configuration. The epilayers, designed for millimeter-wave applications, were grown by gas sources MBE and processed in a two step mesa technology. Both types of devices exhibit very good charcateristics with very low leakage current for SBV's up to 5V whili RTD's high peak current densities and peak-to-valley ratios in the range 175-135 kA/cm² and 6:1 to 9:1 were found at 300K. Impedance measurements show that submillimeter wave operation can be expected for both devices on the basis of extremely high current densities on one hand and of very low series resistances (contact resistivity of 6E-7 Ohm.cm²) on the other hand.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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