Influence of MBE growth conditions on the ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Influence of MBE growth conditions on the quality of InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs
Auteur(s) :
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lorenzini, P. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Chauveau, Jean Michel [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik [PDI]
Ferré, D. [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Androussi, Ydir [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Di Persio, J. [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Codron, Jean-Louis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lorenzini, P. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Chauveau, Jean Michel [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik [PDI]
Ferré, D. [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Androussi, Ydir [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Di Persio, J. [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Codron, Jean-Louis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Journal of Crystal Growth
Pagination :
822
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2003
ISSN :
0022-0248
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
In this work, we investigate the influence of the growth temperature and the arsenic flux on the quality of InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs with inverse step based InAlAs buffer layers. We show besides the temperature, ...
Lire la suite >In this work, we investigate the influence of the growth temperature and the arsenic flux on the quality of InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs with inverse step based InAlAs buffer layers. We show besides the temperature, how the composition modulations make the arsenic flux a critical parameter for the HEMT quality and lead to the generation of threading dislocations in the inverse step layers when an excessive arsenic flux is involved.Lire moins >
Lire la suite >In this work, we investigate the influence of the growth temperature and the arsenic flux on the quality of InAlAs/InGaAs metamorphic HEMTs on GaAs with inverse step based InAlAs buffer layers. We show besides the temperature, how the composition modulations make the arsenic flux a critical parameter for the HEMT quality and lead to the generation of threading dislocations in the inverse step layers when an excessive arsenic flux is involved.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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