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Terahertz frequency difference from vertcally ...
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Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1063/1.1499517
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/54813
Title :
Terahertz frequency difference from vertcally integrated low-temperature-grown GaAs photodetector
Author(s) :
Peytavit, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Arscott, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lippens, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mouret, G. [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Matton, S. [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Masselin, P. [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Bocquet, R. [Auteur]
Laboratoire de Physico-Chimie de l'Atmosphère [LPCA]
Lampin, J.F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Desplanque, L. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2002
English keyword(s) :
Terahertz
GaAs photodetector
"Terahertz"
"GaAs photodetector"
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Physique [physics]/Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-28T00:00:49Z
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