Optimum design of N+NN+ InP devices in the ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
Optimum design of N+NN+ InP devices in the millimeter range. Frequency limitation. RF performance.
Author(s) :
Friscourt, M.R. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, P.A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, P.A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
IEEE Electron Device Letters
Pages :
135-137
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
1983
ISSN :
0741-3106
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :