Simulation of non-steady-state transport ...

Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
Simulation of non-steady-state transport in GaAs and InP millimeter IMPATT diodes
Author(s) :
Lippens, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Constant, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Friscourt, M.R. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, P.A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salmer, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
IEEE Electron Device Letters
Pages :
213-215
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
1982
ISSN :
0741-3106
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
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