Simulation of non-steady-state transport ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Simulation of non-steady-state transport in GaAs and InP millimeter IMPATT diodes
Auteur(s) :
Lippens, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Constant, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Friscourt, M.R. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, P.A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salmer, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Constant, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Friscourt, M.R. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, P.A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salmer, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
IEEE Electron Device Letters
Pagination :
213-215
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
1982
ISSN :
0741-3106
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :