Theoretical and experimental comparison ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
Titre :
Theoretical and experimental comparison between fundamental and harmonic operation of GaAs millimeter wave TEO's
Auteur(s) :
Friscourt, Marie-Renée [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, Paul-Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salmer, Georges [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lacombe, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, Paul-Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salmer, Georges [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lacombe, J. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
12th European Microwave Conference
Ville :
Helsinki
Pays :
Finlande
Date de début de la manifestation scientifique :
1982-09-13
Date de publication :
1982
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
Simulations of GaAsmillimeter wave T.E.O.'s indicate the possibility of fundamental accumulation layer transit mode up to 100 GHz with higher conversion efficiency than that obtained with harmonic mode. Significant improvement ...
Lire la suite >Simulations of GaAsmillimeter wave T.E.O.'s indicate the possibility of fundamental accumulation layer transit mode up to 100 GHz with higher conversion efficiency than that obtained with harmonic mode. Significant improvement in output power is expected from InP fundamental oscillators in the upper part of the millimeter band.Lire moins >
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Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :