Title :

Theoretical and experimental comparison between fundamental and harmonic operation of GaAs millimeter wave TEO's

Author(s) :

Friscourt, Marie-Renée [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, Paul-Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salmer, Georges [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lacombe, J. [Auteur]

Conference title :

12th European Microwave Conference

City :

Helsinki

Country :

Finlande

Start date of the conference :

1982-09-13

Publication date :

1982

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

Simulations of GaAsmillimeter wave T.E.O.'s indicate the possibility of fundamental accumulation layer transit mode up to 100 GHz with higher conversion efficiency than that obtained with harmonic mode. Significant improvement ...
Show more >Simulations of GaAsmillimeter wave T.E.O.'s indicate the possibility of fundamental accumulation layer transit mode up to 100 GHz with higher conversion efficiency than that obtained with harmonic mode. Significant improvement in output power is expected from InP fundamental oscillators in the upper part of the millimeter band.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL