Title :

Towards the ultimate goal of AlN-based HEMTs grown on silicon substrates

Author(s) :

Rennesson, Stephanie [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Nemoz, Maud [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Massies, Jean [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Chenot, Sebastien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Largeau, Ludovic [Auteur]
Laboratoire de photonique et de nanostructures [LPN]
Dogmus, E [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Conference title :

Compound Semiconductor Week 2017

City :

Berlin

Country :

Allemagne

Start date of the conference :

2017-05-14

Journal title :

CSW2017

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

Using NH3-MBE, AlN-based HEMTs on silicon are demonstrated for the first time. Ultra-thin heterostructures typically consist of 200 nm-thick AlN buffer, followed by 20 nm-thick strained GaN channel, 3-10 nm-thick AlN ...
Show more >Using NH3-MBE, AlN-based HEMTs on silicon are demonstrated for the first time. Ultra-thin heterostructures typically consist of 200 nm-thick AlN buffer, followed by 20 nm-thick strained GaN channel, 3-10 nm-thick AlN barrier. 2DEG densities (Ns) are measured as a function of AlN barrier thicknesses. Value as high as 2.7x10 13 cm-2 is measured before passivation. Ns increases improving the material quality and using SiN passivation. In-situ SiN passivation using NH3-MBE is presented for the first time. State-of-the-art mobility values above 600 cm²/Vs are measured and recent improvements are ongoing to lower the sheet resistance as required for high-frequency applications.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL