GaN-on-Silicon transistors with extremely low off-state leakage current above 3 kilovolts
[Invited]
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
GaN-on-Silicon transistors with extremely low off-state leakage current above 3 kilovolts
[Invited]
[Invited]
Auteur(s) :
Dogmus, Ezgi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
TWHM 2017(12th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics)
Ville :
Kirishima
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2017-08-28
Titre de la revue :
TWMH2017
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03298882/file/invited_TWHM_abstract.pdf
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- invited_TWHM_abstract.pdf
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