Selective GaN sublimation and local area ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Selective GaN sublimation and local area regrowth for co-integration of enhancement mode and depletion mode Al(Ga)N/GaN high electron mobility transistors
Auteur(s) :
Ngo, Thi Huong [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Comyn, Rémi [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Chenot, Sébastien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Brault, Julien [Auteur]
Université Côte d'Azur [UniCA]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Damilano, Benjamin [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Vézian, Stéphane [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Frayssinet, Eric [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Cozette, Flavien [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] [LN2]
Rodriguez, Christophe [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] [LN2]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Lecourt, François [Auteur]
Labat, Nathalie [Auteur]
Maher, Hassan [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] [LN2]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Comyn, Rémi [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Chenot, Sébastien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Brault, Julien [Auteur]
Université Côte d'Azur [UniCA]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Damilano, Benjamin [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Vézian, Stéphane [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Frayssinet, Eric [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Cozette, Flavien [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] [LN2]
Rodriguez, Christophe [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] [LN2]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Lecourt, François [Auteur]
Labat, Nathalie [Auteur]
Maher, Hassan [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] [LN2]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Titre de la revue :
Semiconductor Science and Technology
Pagination :
024001
Éditeur :
IOP Publishing
Date de publication :
2021-02
ISSN :
0268-1242
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Résumé en anglais : [en]
In this paper, we report on the fabrication of a normally-off Al(Ga)N/GaN high electron mobility transistor with selective area sublimation under vacuum of the p type doped GaN cap layer. This soft method makes it possible ...
Lire la suite >In this paper, we report on the fabrication of a normally-off Al(Ga)N/GaN high electron mobility transistor with selective area sublimation under vacuum of the p type doped GaN cap layer. This soft method makes it possible to avoid damages otherwise induced by post processing with reactive ion etching techniques. The GaN evaporation selectivity is demonstrated on AlN as well as on AlGaN barrier layers. Furthermore, by properly choosing the AlGaN barrier thickness and composition it is possible to co-integrate a normally-off with a normally-on device on the same substrate. Finally, a local area regrowth of AlGaN can complement this process to increase the maximum drain current in the transistors.Lire moins >
Lire la suite >In this paper, we report on the fabrication of a normally-off Al(Ga)N/GaN high electron mobility transistor with selective area sublimation under vacuum of the p type doped GaN cap layer. This soft method makes it possible to avoid damages otherwise induced by post processing with reactive ion etching techniques. The GaN evaporation selectivity is demonstrated on AlN as well as on AlGaN barrier layers. Furthermore, by properly choosing the AlGaN barrier thickness and composition it is possible to co-integrate a normally-off with a normally-on device on the same substrate. Finally, a local area regrowth of AlGaN can complement this process to increase the maximum drain current in the transistors.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :
Fichiers
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