Modeling of Fermi-level pinning alleviation ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Modeling of Fermi-level pinning alleviation with MIS contacts: n and pMOSFETs cointegration considerations-Part I
Auteur(s) :
Borrel, Julien [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Hutin, Louis [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Rozeau, Olivier [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Jaud, Marie-Anne [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Martinie, Sebastien [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Gregoire, Magali [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Vinet, Maud [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Hutin, Louis [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Rozeau, Olivier [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Jaud, Marie-Anne [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Martinie, Sebastien [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Gregoire, Magali [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Microélectronique Silicium - IEMN [MICROELEC SI - IEMN]
Vinet, Maud [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Titre de la revue :
IEEE Transactions on Electron Devices
Pagination :
3413-3418
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2016
ISSN :
0018-9383
Mot(s)-clé(s) en anglais :
1-D modeling
CMOS
metal/insulator/semiconductor (MIS) contacts
nFET and pFET cointegration
T-WKB approximation
metal/insulator/ semiconductor (MIS) contacts
T WKB approximation
CMOS
metal/insulator/semiconductor (MIS) contacts
nFET and pFET cointegration
T-WKB approximation
metal/insulator/ semiconductor (MIS) contacts
T WKB approximation
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
Aiming at overcoming the Fermi-level pinning (FLP) occurring at the metal/semiconductor interfaces, metal/insulator/semiconductor (MIS) contacts to n-Si and p-Si are usually treated in separate optimization studies, yet ...
Lire la suite >Aiming at overcoming the Fermi-level pinning (FLP) occurring at the metal/semiconductor interfaces, metal/insulator/semiconductor (MIS) contacts to n-Si and p-Si are usually treated in separate optimization studies, yet with no particular insight on their technological compatibility. In this paper, using 1-D analytical modeling of MIS contacts, it is shown that in order to fully benefit from FLP mitigation on both n- and p-type Si, a single-insertion/single-metallization scheme cannot be considered. In addition, it is demonstrated that associating given numerical values of contact resistivity with MIS contacts results in a thorny problem, since their I-V characteristics are nonsymmetric nonlinear.Lire moins >
Lire la suite >Aiming at overcoming the Fermi-level pinning (FLP) occurring at the metal/semiconductor interfaces, metal/insulator/semiconductor (MIS) contacts to n-Si and p-Si are usually treated in separate optimization studies, yet with no particular insight on their technological compatibility. In this paper, using 1-D analytical modeling of MIS contacts, it is shown that in order to fully benefit from FLP mitigation on both n- and p-type Si, a single-insertion/single-metallization scheme cannot be considered. In addition, it is demonstrated that associating given numerical values of contact resistivity with MIS contacts results in a thorny problem, since their I-V characteristics are nonsymmetric nonlinear.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03325007/document
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- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03325007/document
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- 2016-Borrel-IEEE-TED-Modeling_of_Fermi-Level_Pinning_Alleviation_Part_I_nf.pdf
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